مهاجرت از ترانزیستورهای دووجهی به ترانزیستورهای ساخته‌شده برپایه‌ی تکنیک فین‌فت (FinFET) باعث شد قانون مور در دَه سال اخیر همچنان پابرجا باقی بماند؛ اما به‌نظر می‌رسد که حتی طراحی فین‌فت نیز کم‌کم قصد دارد جایش را به طراحی جدیدی بدهد. ترانزیستورهای GAA (مخفف Gate-all-around) برای لیتوگرافی سه‌نانومتری و لیتوگرافی‌های پیشرفته‌تر بسیار کاربردی و جالب به‌نظر می‌رسد؛ بااین‌حال براساس گزارش خبرگزاری تک‌اسپات، تحلیلگران معتقدند مهاجرت از ترانزیستورهای فین‌فت به ترانزیستورهای GAA بسیار پرهزینه خواهد بود.
اکثر تراشه‌های پیشرفته‌ی امروزی با استفاده از لیتوگرافی هفت یا پنج‌نانومتری تولید می‌شوند؛ باوجوداین، شرکت‌های بزرگ صنعت نیمه‌هادی نظیر تی اس ام سی (TSMC) و گلوبال فاندریز (GlobalFoundries) در سال‌های گذشته تلاش‌های زیادی انجام کرده‌اند تا بتوانند لیتوگرافی سه و دو‌نانومتری را برپایه‌ی ترانزیستورهای نسل بعد سری GAA-FET به‌طور بهینه توسعه دهند. ترانزیستورهای GAA-FET مزیت‌هایی دارند که از بین آن‌ها می‌توانیم به «بهبود مقیاس‌پذیری» اشاره کنیم. بااین‌حال، فین‌فت همچنان در اولویت است؛ زیرا تولیدکنندگان تراشه معتقدند می‌توانند نسل‌به‌نسل قدرت بیشتری از ترانزیستورهای فین‌فت بیرون بکشند.
سال گذشته‌ی میلادی، TSMC هنگام برگزاری اجلاس Technology Symposium اعلام کرد لیتوگرافی سه‌نانومتری‌اش که با نام N3 شناخته میشود، درمقایسه‌با لیتوگرافی پنج‌نانومتری (N5) حداکثر ۵۰ درصد قدرت پردازشی بیشتر و ۳۰ درصد مصرف انرژی کمتری ارائه می‌دهد. مهم‌تر آنکه لیتوگرافی سه‌نانومتری TSMC ظاهرا باعث میشود بتوان ۱٫۷ برابر تراکم بیشتری از ترانزیستورها را روی تراشه قرار داد.
استفاده از لیتوگرافی اثبات‌شده و پیش‌بینی‌پذیرتر باعث میشود TSMC زمان کافی برای توسعه‌ی لیتوگرافی دو‌نانومتری GAA-FET در‌اختیار داشته باشد. بدین‌ترتیب، استفاده‌ی لیتوگرافی سه‌نانومتری TSMC از ترانزیستورهای GAA-FET احتمالا منتفی است. طبق آخرین اخبار، TSMC می‌کوشد لیتوگرافی دو‌نانومتری را تا سال ۲۰۲۴ به تولید انبوه برساند.
سطح مقطعی ترانزیستورهای GAAFET
براساس گزارش جدید مؤسسه‌ی Semiconductor Engineering، اینتل و سامسونگ نیز به‌شدت در تلاش‌اند تا برای تولید تراشه سراغ استفاده از لیتوگرافی سه و دو‌نانومتری بروند و شاید سامسونگ بتواند چنین هدفی را تا پایان سال جاری میلادی عملی کند.
منبع:
https://www.zoomit.ir/processor/367436-tsmc-other-foundries-gaafet-process-nodes-beyond-3-nm/
akhbar tecnolozh13 لیتوگرافی ,ترانزیستورهای ,tsmc ,فین‌فت ,دو‌نانومتری ,تراشه ,لیتوگرافی سه‌نانومتری ,سه‌نانومتری tsmc ,ترانزیستورهای فین‌فت ,برای لیتوگرافی منبع
درباره این سایت